题目：磷化铟纳米空心球和硒化镉纳米片的合成及其性质研究

本论文采用溶剂热法制备出了InP纳米空心球，采用胶体化学法合成CdSe纳米片和纳米晶。采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、透射电子显微镜等对产物的形貌和微结构进行了表征，研究了所制备纳米结构的生长过程，提出了相关的形成机理。研究了InP纳米空心球的电学性能，不同尺寸CdSe纳米晶的光学性能。所制备的InP纳米空心球和CdSe纳米晶在发光二极管，激光器，太阳能电池等光电子器件和生物标记方面具有潜在的应用价值。
(1) InP纳米空心球的合成、形成机理和电学性能
通过InCl3·4H2O、氟化铵、红磷和KBH4在乙二胺-乙二醇混合溶液中220oC溶剂热反应，以及随后的酸处理，制备出了尺寸在700-800 nm范围壳厚约100 nm的空心球型结构，这种空心球是由粒径为35-40 nm立方相InP晶粒组装而成。研究InP纳米空心球的形成过程，结果发现InP纳米空心球的形成是H2气泡模板作用以及InOHF2限制效应的协同作用的结果。研究了InP纳米空心球的电学性质，结果表明InP和FTO电极的接触是典型的肖特基接触。 
(2) 不同尺寸CdSe纳米片、纳米晶的可控合成及其发光特性
在N2 气气氛中，通过CdCl2、Se在300 oC的三辛基膦(TOP)和油胺(OLA)溶剂中的反应，制备出了纤锌矿结构的CdSe纳米片和纳米晶。通过调节反应时间和反应温度，合成不同尺寸的CdSe纳米片和纳米晶。对纳米晶的吸收和发光性质做了研究，发现尺寸依赖的光学特性。