题目：多晶硅太阳电池制作及氧化亚铜薄膜制备研究

本论文包含两个部分。第一部分，我们做了与多晶硅太阳电池工业生产相关的研究。第二部分，我们研究了一种具有潜力的太阳电池材料氧化亚铜。
太阳电池发展的主要趋势是提高转换效率和降低成本。多晶硅太阳电池是未来最有发展潜力的太阳电池之一。本部分依据多晶硅结构的特点，着重研究了多晶硅太阳电池的工业化生产中各工艺对电池性能产生的影响，得出如下结论：
1. 采用光谱响应系统和扫描电镜研究了酸腐多晶硅表面织构工艺。研究表明，多晶硅在HF、HNO3和H2O的配比为1:3:2.7的腐蚀液中腐蚀120s后能够得到反射率较低且较均匀的蚯蚓状表面结构。
2. 利用四探针和I-V测试研究了不同方阻阻值对电池性能的影响。研究表明，在现有栅线条件下，方阻阻值在45～50 ?/□范围内，所制作的电池有较高的开路电压和短路电流。
3. 利用I-V测试研究了不同刻蚀条件对电池性能的影响。研究表明，射频功率过大、刻蚀时间过长、压强太大、气体流量太大都会对硅片表面造成损伤，甚至会危及结区，从而使电池性能下降。
4. 采用去膜实验、傅里叶变换红外吸收和I-V测试分别对不同条件沉积氮化硅薄膜的致密性、氢含量和电池性能进行研究。研究表明，多晶硅的表面钝化主要与氮化硅薄膜的致密性有关，而体钝化则主要与氮化硅中的氢含量有关。
5. 采用扫描电镜和I-V测试对两种不同铝浆制备的铝背场进行了研究。研究表明，好的铝浆会形成较高质量的背场，增强载流子的收集能力和传导能力，从而提高电池的性能。
通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜。利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌，为Cu2O在异质结薄膜太阳电池中地应用作了准备工作。得出如下结论：
1. Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜；
2. 四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22?cm；
3. 用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性，得出其光学带隙为2.4eV。